9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7104DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7104DN-T1-GE3参考价格为1.22100美元。Vishay Siliconix SI7104DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8。您可以下载SI7104DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7102DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7102DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7102DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为3720pF@6V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.8 mOhm@15A，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为110nC@8V，Pd功耗为3.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为12 ns，上升时间为125ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V，Rds导通-源极电阻为3.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为73nC，信道模式为增强。
SI7104DN-T1-E3是MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于20 ns 12 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如33 ns 36 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作TrenchFET/PPowerPAK商标。此外，该技术为Si，该器件为SI71xxDx系列，该器件具有20 ns 11 ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为3.7 mOhms，Pd功耗为3.8 W，零件别名为SI7104DN-E3，封装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为26.1 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7102DN-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI7102DN-TI-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
