9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8401DB-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8401DB-T1-E3参考价格为1.22100美元。Vishay Siliconix SI8401DB-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT。您可以下载SI8401DB-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8401AB-B-ISR是DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC，包括SI8401AB系列，它们设计用于数字隔离器产品，类型如用于I2C的数据表注释所示，提供包装功能，如磁带和卷轴（TR）交替包装、，包装箱设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），以及电容耦合技术，其工作温度范围为-40°C~125°C。此外，信道数量为2，该设备提供3 V~5.5 V电压供应，该设备具有供应商设备包的8-SOIC，信道类型为双向，电压隔离为2500Vrms，隔离功率为No，输入侧1侧2为2016/2/2 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），Pd功耗为220mW，极性为双向，隔离类型为电容耦合，支持的协议为I2C，电源电压最大值为5.5V，电源电压最小值为3V。
SI8401DB-T1-E1是MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于17 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如88 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为28 ns，器件的漏极电阻为65 mOhms Rds，器件的Pd功耗为1.47 W，零件别名为SI8401DB-E1，封装为卷轴式，封装盒为MicroFoot-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.6A，下降时间为28ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI8401DB-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI8401DB-T1在BGA-4封装中提供，是FET的一部分-单个。
