9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMV55ENEAR，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMV55ENEAR参考价格为0.11906美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMV55ENEAR封装/规格：MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB。您可以下载PMV55ENEAR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PMV55ENEAR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PMV50XPR是MOSFET 20V P沟道沟道MOSFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供信道数功能，如1信道，配置设计用于单信道，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可用作1.096 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，器件的下降时间为68 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-4.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-900mV，Rds漏极-源极电阻为48mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为135ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为7.7nC，正向跨导最小值为9S，沟道模式为增强。
PMV48XPAR带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
带有NXP制造的电路图的PMV50UPE。PMV50UPE在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
PMV50UPE 215是NXP制造的MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB。PMV50UPE，215可在TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB、P沟道20V 3.2A（Ta）500mW（Ta）表面安装TO-236AA（SOT23）、Trans MOSFET P-CH20V 3.2A 3-Pin TO-236AB/R、MOSFET PMV50UP E/TO-236AB/REEL 7“Q3/T。
