9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS822DNT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS822DNT-T1-GE3参考价格为0.12123美元。Vishay Siliconix SIS822DNT-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8。您可以下载SIS822DNT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIS822DNT-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIS780DN-T1-GE3是MOSFET 30伏18安培27.7瓦，包括SISxxxDN系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在SIS780DN-GE3中使用的数据表注释中，它提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有27.7W的Pd功耗，下降时间为9ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为16.3nC，正向跨导Min为25S。
SIS8205，带有SIAI制造的用户指南。SIS8205采用SOT-23-6封装，是IC芯片的一部分。
SIS8205HC，电路图由GP/SIAI制造。SIS8205HC采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
