9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2160UWQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2160UWQ-7参考价格为0.12814美元。Diodes Incorporated DMP2160UWQ-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323 T&R。您可以下载DMP2160UWQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您要找的东西，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMP2160UWQ-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMP2160UFDBQ-7，带引脚细节，包括DMP2160系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-UDFN暴露焊盘，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在U-DFN2020-6供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为536pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.8A，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@2.8A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27.54 ns，上升时间为12.09 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-3.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-900mV，Rds导通漏极-漏极电阻为68mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55.34ns，典型接通延迟时间为11.51ns，Qg栅极电荷为6.5nC，信道模式为增强。
DMP2160UFDB-7-HN，带有DIODES制造的用户指南。DMP2160UFDB-7-HN采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
DMP2160UW，电路图由DIODES制造。DMP2160UW在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
