9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL520L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL520L价格参考$19.714。Vishay Siliconix IRL520L封装/规格：MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3。您可以下载IRL520L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRL520L价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRL510PBF是MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供3.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为5.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为9.3ns，沟道模式为增强。
IRL510SPBF是MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为47ns，器件的漏极电阻为540mOhms，Pd功耗为3.7W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为5.6 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRL520是MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了27纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如9.2A，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，器件采用TO-220-3封装盒，器件具有封装管，Pd功耗为60W，Rds漏极-源极电阻为270mOhm，上升时间为64ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为9.8ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为10V。
IRL510STRLPBF是MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表说明所示，用于单芯片，提供Si等技术特性，封装设计用于卷轴，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作增强信道模式。此外，典型的开启延迟时间为9.3 ns，器件提供540 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有5.6 a的Id连续漏极电流，上升时间为47 ns，Pd功耗为3.7 W，下降时间为18 ns，典型的关闭延迟时间为16 ns，Vds漏极源极击穿电压为100 V，Vgs栅极-源极电压为10 V，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.050717盎司，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃。
