9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL530S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL530S参考价格$3.372。Vishay Siliconix IRL530S封装/规格：MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK。您可以下载IRL530S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRL530PBF是MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供88 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为15 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2V，Rds导通漏极-漏极电阻为160mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为4.7ns，Qg栅极电荷为28nC，正向跨导最小值为6.4S，并且信道模式是增强。
IRL530NSTRRPBF是MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK，包括1 V至2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.079014 oz，典型开启延迟时间设计为7.2 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为53 ns，漏极-源极电阻Rds为150 mOhms，Qg栅极电荷为22.7 nC，Pd功耗为3.8 W，封装为卷轴式，封装盒为D2PAK-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为17 A，正向跨导最小值为7.7 S，下降时间为26 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRL530NSTRPBF，带有由IR制造的电路图。IRL530INSTRPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
