9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL640L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL640L参考价格为1.756美元。Vishay Siliconix IRL640L封装/规格：MOSFET N-CH 200V 17A TO262-3。您可以下载IRL640L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRL640A是MOSFET N-CH 200V 18A TO-220，包括管封装，它们设计用于IRL640A_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为1705pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为18A（Tc），最大Id Vgs的Rds为180mOhm@9A，5V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为56nC@5V，Pd功耗为110W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型导通延迟时间为11ns，正向跨导最小值为13.3S，信道模式是增强。
IRL6372TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC，包括1.1V@10μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.019048盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商器件封装为8-SO，器件为HEXFETR系列，器件具有17.9 mOhm@8.1A，4.5V Rds On Max Id Vgs，Rds On漏极-源极电阻为17.9 mOhms，Qg栅极电荷为11 nC，功率最大值为2W，Pd功耗为2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1020pF@25V，Id连续漏极电流为8.1 A，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双），FET功能为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8.1A，配置为双。
IRL640是MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于52 ns，提供Id连续漏极电流特性，如17 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为125W，Rds漏极-源极电阻为180mOhms，上升时间为83ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为44ns，典型的接通延迟时间为8ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为10V。
IRL640APBF与EDA/CAD模型IRL640APMF在T0-220封装中提供，是IC芯片的一部分。
