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IRLR7843TRPBF是MOSFET N-CH 30V 161A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为161 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.3V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为34nC，正向跨导最小值为37S，沟道模式为增强。
IRLR7843PBF是MOSFET N-CH 30V 161A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为34 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为42 ns，器件的漏极-源极电阻为4 mOhms，Qg栅极电荷为34 nC，Pd功耗为140 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为161 A，下降时间为19 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRLR7843TRLPBF是MOSFET N-CH 30V 161A DPAK，包括单一配置，它们设计为在19 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于37 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如161 a，其最大工作温度范围为+175 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有140W的Pd功耗，Qg栅极电荷为50nC，Rds漏极-源极电阻为3.3mOhms，上升时间为42ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.3V。
IRLR8103是由IR制造的N沟道30V 89A（Ta）89W（Ta）表面贴装D-Pak。IRLR8102采用TO-252封装，是FET的一部分-单个，并支持N沟道30 V 89B（Ta）89（Ta）的表面贴装D-Pak。
