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FDD120AN15A0是MOSFET N-CH 150V 14A DPAK，包括卷轴封装，它们设计用于与FDD120AN 15A0_NL部件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有65 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强型。
FDD120AN15_F085，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDD120AN15_F085采用TO-2523L（DPAK）封装，是IC芯片的一部分。
FDD120AN15A，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDD120AN15A采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
