9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT56F60B2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT56F60B2参考价格23.67200美元。Microchip Technology APT56F60B2封装/规格：MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX。您可以下载APT56F60B2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APT56F50L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括0.352740盎司的单位重量，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-264，提供Si等技术特性，配置设计用于单级，以及780 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为33 ns，器件的上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为56 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs第栅极-源极端电压为4 V，Rds漏极源极电阻为100 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是100ns，并且典型接通延迟时间是38ns，并且Qg栅极电荷是220nC，并且正向跨导Min是43S，并且沟道模式是增强。
APT56F50B2是MOSFET N-CH 500V 56A TO-247，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供典型的开启延迟时间功能，如38 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为45 ns，器件提供100 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有220 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为780 W，封装外壳为TMAX-3，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为56A，并且正向跨导Min为43S，并且下降时间为33ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
APT55M85B2LL，带有由APT制造的电路图。APT55M35B2LL采用TO-247MAX封装，是IC芯片的一部分。
