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HCT7000M

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: 3-md 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 欧普泰克 (TT)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
160+ 174.80014 27968.02384
  • 库存: 27
  • 单价: ¥192.29900
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥192.30
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安(Ta)
  • 包装/外壳 3-SMD,无引线
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 最大功耗 300mW (Ta)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±40V
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 供应商设备包装 3-md
  • 制造厂商 欧普泰克 (TT)

HCT7000M 产品详情

HCT7000M所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HCT7000M 由 欧普泰克 (TT) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HCT7000M价格参考¥192.298995,你可以下载 HCT7000M中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HCT7000M规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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TT Electronics是性能关键应用工程电子产品的全球供应商。它与工业、航空航天和国防、医疗和运输领域的市场领先客户合作。TT Electronics总部位于英国沃金,拥有近5000名员工,业务遍...

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