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CSD18531Q5A是MOSFET N-CH 60V 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSONP（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为3840pF@30V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为19A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs为4.6mOhm@22A，10V，Vgs最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为43nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为134A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8V，Rds漏极源极电阻为5.8mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为36nC。
CSD18532KCS是MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFET，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为7.8 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18532KCS，上升时间为5.3 ns，漏极-源极电阻Rds为5.3 mOhms，Qg栅极电荷为44 nC，Pd功耗为216 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为169 A，正向跨导最小值为146 S，下降时间为5.6 ns，配置为单一。
CSD18531Q5AT是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET，包括增强型沟道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于2.7 ns，提供Id连续漏极电流特性，如134 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-8封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为156W，Qg栅极电荷为36nC，漏极电阻Rds为5.8mOhm，上升时间为7.8ns，系列为CSD18531Q5A，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为4.4ns，单位重量为0.000847oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅-源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V。
