9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT601B2 LG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT6010B2LLG参考价格25.64100美元。微芯片技术APT6010B2LLG封装/规格：MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX。您可以下载APT601B2LLG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT5F100K是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括0.081130 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-220，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及225 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为21纳秒，器件的上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为5 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，Vgs第栅极-源极端电压为4 V，Rds漏极源极电阻为2.8欧姆，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为72ns，并且典型接通延迟时间为23ns，并且Qg栅极电荷为43nC，并且正向跨导Min为5.6S，并且沟道模式为增强。
APT58M50JU3是分立半导体模块功率模块-Mosfet，包括3 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如1.058219 oz，典型开启延迟时间设计为60 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8 ISOTOP，器件的上升时间为70纳秒，器件的漏极源极电阻为65毫欧姆，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为543 W，封装为散装，封装外壳为SOT-227-4，安装方式为螺旋式，Id连续漏极电流为58 a，下降时间为50纳秒，并且配置是单一的。
APT58M80J是分立半导体模块功率MOSFET-MOS8，包括散装封装。
APT58M50JU2是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道500V 58A（Tc）543W（Tc）底盘安装SOT-227。
