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APT37M100L是MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264，包括管封装，它们设计用于0.373904盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，包装盒设计用于TO-264-3、TO-264AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-264供应商器件包中提供，该器件具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为1135W，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Ciss Vds为9835pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为37A（Tc），最大Id Vgs的Rds为330 mOhm@18A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg Vgs为305nC@10V，Pd功耗为1.135 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为37A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为290mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为44ns，Qg栅极电荷为305nC，正向跨导Min为39S，并且信道模式是增强。
APT37M100B2是MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-30 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1 kV，具有典型的开启延迟时间特性，如44 ns，典型的关闭延迟时间设计为150 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为40 ns，器件提供330 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有305 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为1.135 kW，封装为卷轴式，封装外壳为T-Max，安装方式为通孔式，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为37A，且正向跨导Min为39S，且下降时间为38ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT37F50S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
