9icnet为您提供由onsemi设计和生产的3LN01S-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。3LN01S-TL-E参考价格为0.08000美元。onsemi 3LN01S-TL-E包装/规格：3LN01-30伏，0.15 A，3.7欧姆。您可以下载3LN01S-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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3LN01SS-TL-H是MOSFET开关器件，包括3LN01SS系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SMCP-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供150 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为150 mA，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-源极电阻Rds为3.7欧姆，晶体管极性为N沟道。
3LN01SS-TL-E是MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于3LN01SS，以及3.7欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SSFP-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有150 mA的Id连续漏电流。
3LN01S-TL，带有SANYO制造的电路图。3LN01S-TL在SOT-323封装中提供，是FET的一部分-单个。
