FCP190N60E

Name: FCP190N60E
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7150750-FCP190N60E
Price: 9.995202 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A（Tc）最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 217

库存: 0
单价: ¥9.99520
数量:
- +
总计: ¥2,168.96

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
供应商设备包装 TO-220-3
包装/外壳至220-3
漏源电压标 (Vdss) 600 V
最大功耗 208W（Tc）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 82 nC @ 10 V
导通电阻 Rds(ON) 190毫欧姆@10A，10V
漏源电流 (Id) @ 温度 20.6A（Tc）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3175 pF @ 25 V

FCP190N60E 产品详情

SuperFET®和SuperFET™II N沟道MOSFET，Fairchild半导体

Fairchild使用超级结技术添加了SuperFET®II高压功率MOSFET系列。它在AC-DC开关模式电源（SMPS）应用（如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器、照明应用）中提供了一流的稳健体二极管性能，这些应用需要高功率密度、系统效率和可靠性。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可以获得更高效、更经济、更高性能的解决方案，从而占用更少的电路板空间并提高可靠性。

特色

650V@TJ=150°C
最大RDS（开）=199mΩ
超低栅极电荷（典型Qg=57nC）
低有效输出电容（Typ.Coss.eff=160pF）
100%雪崩测试

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

FCP190N60E 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FCPAPER1	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING FILM	¥488.91101
FCPAPER5	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING FILM	¥226.79853
FCPAPERSM	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING FILM DIAMOND	¥507.04182
FCPUCKLC	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK LC CONNECTORS	¥4,824.06112
FCPUCKSCST	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK SC/ST CONNECTORS	¥418.20505
FCPL01250500	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/2;1/4,1/2,1.250D	¥1,954.13442
FCPL02001000	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;1;3/8,5/8,2.000D	¥2,525.23709
FCPL00750125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/8;1/8,3/16,.750D	¥2,793.58653
FCPL02000875	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;7/8;3/8,5/8,2.000D	¥2,972.48616
FCPL02001125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1-1/8;3/8,5/8,2.000D	¥3,344.04693

FCP190N60E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCP190N60E 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCP190N60E价格参考￥9.995202，你可以下载 FCP190N60E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCP190N60E规格参数、现货库存、封装信息等信息！