9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFU9214,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFU9214参考价格$4.934。Vishay Siliconix IRFU9214封装/规格:MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA。您可以下载IRFU9214英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如IRFU9214价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IRFU9120PBF是MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK,包括管封装,它们设计为以0.011640盎司的单位重量运行,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供IPAK-3等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 P沟道,器件提供40 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为31 ns,上升时间为47 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为6.6 A,Vds漏极-源极击穿电压为-100V,Rds漏极源极电阻为480mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为28ns,典型接通延迟时间为14ns,沟道模式为增强。
IRFU9210PBF是MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.011640盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如8 ns,典型的关闭延迟时间设计为11 ns,以及1 P沟道晶体管类型,该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件的上升时间为12 ns,器件的漏极电阻为3欧姆,Pd功耗为2.5 W,封装为管,封装外壳为IPAK-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为1.9 A,下降时间为13 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IRFU9210是Vishay制造的MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK。IRFU9210可提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK、P沟道200V 1.9V(Tc)2.5W(Ta)、25W(Tc。