9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFU9310，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFU9310参考价格$4.59。Vishay Siliconix IRFU9310封装/规格：MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA。您可以下载IRFU9310英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFU9220PBF是MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK，包括管封装，设计用于0.011640 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-251-3短引线、IPak、to-251AA等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-251AA供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为340pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.5 Ohm@2.2A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为27 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为7.3ns，典型接通延迟时间为8.8ns，沟道模式为增强。
IRFU9214PBF是MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在14 ns上升时间内提供，器件具有3欧姆Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为50 W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.7A，下降时间为17ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFU9220，电路图由Vishay制造。IRFU9220在TO-251封装中提供，是IC芯片的一部分，P沟道200V 3.6A（Tc）2.5W（Ta），42W（Tc）通孔TO-251AA，Trans-MOSFET P-CH 200V 3.6B 3引脚（3+Tab）IPAK。
