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PMDPB70XP，115是MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN，包括Digi-ReelR交替封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于6-HUSON（2x2）以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作490mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供680pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.9A，最大Id Vgs的Rds为87 mOhm@2.9A，4.5V，Vgs th最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为7.8nC@5V。
PMDPB70EN，115是MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN，包括2.5V@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于6-DFN2020（2x2）供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于57 mOhm@3.5A，10V，提供功率最大特性，如510mW，包装设计用于Digi-ReelR，以及6-UDFN暴露焊盘包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供130pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有4.5nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为3.5A。
PMDPB65UP，115是MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118，包括3.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于6nC@4.5V，除了380pF@10V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用6-UDFN暴露焊盘封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为520mW，最大Id Vgs为70 mOhm@1A，4.5V，供应商器件封装为6-HUSON（2x2），Vgsth最大Id为1V@250μA。
带有恩智浦制造的EDA/CAD模型的PMDPB70EN。PMDPB70EN在DFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
