9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFP254，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFP254参考价格$3.2。Vishay Siliconix IRFP254封装/规格：MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3。您可以下载IRFP254英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFP250NPBF是MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC，包括管封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供214 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为30 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为82nC，正向跨导Min为17S，沟道模式为增强。
IRFP250PBF是MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件的上升时间为86 ns，该器件具有85 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为62 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFP250N是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC。IRFP250N以TO-247-3封装形式提供，是FET-单体的一部分，并支持MOSFET N-CH200V 30A-TO-247C。
