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G3035L

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 高福德 (Goford)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.83873 3.83873
10+ 2.88991 28.89917
100+ 1.80130 180.13090
500+ 1.23245 616.22600
1000+ 0.94809 948.09600
3000+ 0.85328 2559.85800
6000+ 0.80591 4835.50200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.84
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.1A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.5 nC@10 V
  • 最大功耗 1.4W(Ta)
  • 制造厂商 高福德 (Goford)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 650 pF @ 15 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 59毫欧姆 @ 2.1A, 10V

G3035L 产品详情

G3035L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G3035L 由 高福德 (Goford) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G3035L价格参考¥3.838737,你可以下载 G3035L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G3035L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

高福德 (Goford)

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