9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFPC60LC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFPC60LC价格参考$4.15。Vishay Siliconix IRFPC60LC封装/规格：MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3。您可以下载IRFPC60LC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFPC50APBF是MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供180 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为11 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为580mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为7.7S，沟道模式为增强。
IRFPC50PBF是MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为88 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件的上升时间为37 ns，该器件具有600 mOhms的漏极电阻，Pd功耗为180 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为36 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFPC50LC是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC。IRFPC50 LC可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 11A TO-247AC、N通道600V 11A（Tc）190W（Tc。
IRFPC60是由IR制造的MOSFET N-Chan 600V 16 Amp。IRFPC6可在模块封装中提供，是模块的一部分，并支持MOSFET N-Chan 600V 16安培。
