9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFPE40，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFPE40参考价格$6.148。Vishay Siliconix IRFPE40封装/规格：MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3。您可以下载IRFPE40英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFPC60PBF是MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC，包括管封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供280 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为56 ns，上升时间为54 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为19ns，正向跨导最小值为13S，沟道模式为增强。
IRFPE30PBF是MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为82 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为33 ns，器件的漏极电阻为3欧姆，Pd功耗为125 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为4.1 A，正向跨导最小值为2.4 S，下降时间为30 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFPE30是VISHAY制造的MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC。IRFPE30在TO-247封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC、N沟道800V 4.1B（Tc）125W（Tc）通孔TO-247-3。
