9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR020，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR020参考价格20.688美元。Vishay Siliconix IRFR020封装/规格：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK。您可以下载IRFR020英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR014TRPBF是MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为以0.050717盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为300pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.7A（Tc），最大Id Vgs的Rds为200 mOhm@4.6A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.7A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFR014TRLPbF是MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为50ns，器件的漏极-源极电阻为200mOhm，Pd功耗为2.5W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为7.7 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR014TRRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFR014TR RPBF采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
