9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF740STRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF740STRR参考价格为5.778美元。Vishay Siliconix IRF740STRR封装/规格：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK。您可以下载IRF740STRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRF740STRR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF740SPBF是MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds漏极漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IRF740STRLPBF是MOSFET N-Chan 400V 10安培，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为550 mOhms，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10A，下降时间为24ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF740S是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK。IRF740S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH400V 10A D2PAG、N沟道400V 10A（Tc）3.1W（Ta）、125W（Tc）表面安装D2PAK、Trans-MOSFET N-CH 400 10A 3-Pin（2+接线片）D2PAK等。
IRF740STRPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF740STRPBF以SOT263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
