9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR120,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR120价格参考1.268美元。Vishay Siliconix IRFR120封装/规格:MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK。您可以下载IRFR120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR110TRPBF是MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计为以0.050717盎司单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供to-252-3、DPAK(2引线+标签)、SC-63等封装盒功能,它的工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该设备也可以用作表面安装型。此外,信道数为1信道,该设备在D-Pak供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,FET类型为MOSFET N信道,金属氧化物,最大功率为2.5W,晶体管类型为1 N信道,漏极至源极电压Vdss为100V,输入电容Cis-Vds为180pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为4.3A(Tc),最大Id Vgs的Rds为540 mOhm@2.6A,10V,Vgs最大Id为4V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@10V,Pd功耗为2.5W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为9.4 ns,上升时间为16 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为4.3A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-漏极电阻为540mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为15ns,典型接通延迟时间为6.9ns,沟道模式为增强。
IRFR110TRRPBF是由IR/制造的MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK。IRFR110TRRPBF有TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 100V 4.3A DPak、Trans MOSFET N-CH100V 4.3A3-Pin(2+接线片)DPak T/R。
IRFR11N25D是由IR制造的MOSFET N-CH 250V DPAK。IRFR11N2 5D可提供TO-252-3,DPAK(2引线+接线片),SC-63封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH250V DPAK,N沟道250V表面安装D-Pak。