9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF737LC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF737LC价格参考7.776美元。Vishay Siliconix IRF737LC封装/规格：MOSFET N-CH 300V 6.1A TO220AB。您可以下载IRF737LC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7379TRPBF是MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-SO的供应商器件包，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道1 P信道、漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为520pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.8A，4.3A，最大Id Vgs为45mOhm@5.8A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，Pd功耗为2.5W，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏极电流为5.8A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极上源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，Qg栅极电荷为16.7nC。
IRF7379TR是MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如45 mOhm@5.8A，10V，功率最大设计为2.5W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为520pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为5.8A，4.3A。
波音7379trpbf。电路图由IR制造。IRF7379TRPBF。SO8封装中提供，是IC芯片的一部分。
