9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR210，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR210参考价格为5.174美元。Vishay Siliconix IRFR210封装/规格：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK。您可以下载IRFR210英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR1N60ATRPBF是MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK，包括IRF/SIHRx1N60A系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为36W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为229pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7 Ohm@840mA，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V，Pd功耗为36 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为14ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为1.4A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型导通延迟时间为9.8ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导Min为0.88S，信道模式为增强。
IRFR1N60APBF是MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IRF/SIHRx1N60A系列，该器件的上升时间为14 ns，漏极电阻Rds为7欧姆，Pd功耗为36 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.4A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR1N60A是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK。IRFR1N 60A采用TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 1.4A DPE、N通道600V 1.4A（Tc）36W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin（2+Tab）DPAK。
