9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR224，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR224参考价格$5.82。Vishay Siliconix IRFR224封装/规格：MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK。您可以下载IRFR224英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR220TRLPBF是MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为7.2ns，沟道模式为增强。
IRFR220TRPBF是MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为22 ns，器件的漏极电阻为800 mOhms，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.8A，下降时间为13ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR220TR带有由IR制造的电路图。IRFR220TRTO252封装，是FET的一部分-单个。
