9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR310，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR310价格参考1.838美元。Vishay Siliconix IRFR310封装/规格：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK。您可以下载IRFR310英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR2905ZTRPBF是MOSFET N-CH 55V 42A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为66 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为59 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为29nC，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
IRFR2905ZTRLPBF是MOSFET MOSFT 55V 59A 14.5mOhm 29nC，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作66ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为14.5毫欧，器件提供44 nC Qg栅极电荷，器件具有110 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为59 a，正向跨导Min为20S，下降时间为35ns，配置为Single。
IRFR2905ZTR是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 42A DPAK。IRFR2905 ZTR有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 42A-DPAK，N-沟道55V42A（Tc）110W（Tc，表面安装D-Pak。
