9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR9010,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR9010参考价格为10.584美元。Vishay Siliconix IRFR9010封装/规格:MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK。您可以下载IRFR9010英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR825TRPBF是MOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET,包括卷轴封装,它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供119 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为20 ns,上升时间为25 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为6 A,Vds漏极-源极击穿电压为500V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V至5V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.05欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为30ns,典型导通延迟时间为8.5ns,Qg栅极电荷为34nC,正向跨导最小值为7.5S,并且信道模式是增强。
IRFR8314TRPBF带有用户指南,包括1.7 V Vgs第三栅极-源极阈值电压,它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中,用于30 V,提供单位重量功能,例如0.13932 oz,典型开启延迟时间设计为19 ns,以及28 ns典型关闭延迟时间,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,器件采用Si技术,器件的上升时间为98ns,漏极-源极电阻Rds为2.2mOhms,Qg栅极电荷为36nC,Pd功耗为125W,封装为卷轴式,封装盒为TO-252-3,沟道数为1沟道,安装方式为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+175℃,Id连续漏极电流为179 A,正向跨导最小值为189 S,下降时间为30 ns,配置为单一。
IRFR8503,带有由IR制造的电路图。IRFR8502采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。