9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF830STRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF830STRL参考价格$3.208。Vishay Siliconix IRF830STRL封装/规格：MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK。您可以下载IRF830STRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF830PBF是MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于SIHF840-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有74 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为8.2ns，Qg栅极电荷为38nC，沟道模式为增强。
IRF830SPBF是MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16ns，器件的漏极-源极电阻为1.5欧姆，Pd功耗为3.1W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.5 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF830S是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK。IRF830S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 4.5A D2PAK、N沟道500V 4.5A（Tc）3.1W（Ta）、74W（Tc。
