9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF830STRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF830STRR价格参考2.91美元。Vishay Siliconix IRF830STRR封装/规格：MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK。您可以下载IRF830STRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF830SPBF是MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为8.2ns，沟道模式为增强。
IRF830STRLPBF是MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，具有典型的开启延迟时间功能，如8.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16ns，器件的漏极-源极电阻为1.5欧姆，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.5 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF830STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK。IRF830STRL可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 4.5A D2PAK、N通道500V 4.5A（Tc）3.1W（Ta）、74W（Tc。
IRF830STRPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF830STRPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
