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E3M0075120K

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 145W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 133.41421 133.41421
10+ 122.59332 1225.93325
100+ 103.53798 10353.79800
500+ 92.10433 46052.16900
1000+ 84.48191 84481.91000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥133.41422
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥133.41
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Tc)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 包装/外壳 至247-4
  • 供应商设备包装 TO-247-4L
  • 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 最大功耗 145W(Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +19伏、-8伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 5毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 97.5欧姆@17.9A,15V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 55 nC @ 15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1480 pF @ 1000 V

E3M0075120K 产品详情

E3M0075120K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),E3M0075120K 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。E3M0075120K价格参考¥133.414218,你可以下载 E3M0075120K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询E3M0075120K规格参数、现货库存、封装信息等信息!

沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)

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