9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR9110，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR9110参考价格为1.184美元。Vishay Siliconix IRFR9110封装/规格：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK。您可以下载IRFR9110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR9024TRPBF是MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK，包括IRF/SIHFx9024系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为570pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8.8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为280 mOhm@5.3A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为68ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为13ns，沟道模式为增强型。
IRFR9034带有由IR制造的用户指南。IRFR903采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
IRFR9034TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFR9034PRPBF采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
