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PH5330E,115
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PH5330E,115

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK56,Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.76535
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.77
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 62.5W (Tc)
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 供应商设备包装 LFPAK56,Power-SO8
  • 包装/外壳 SC-100,SOT-669
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.7毫欧姆 @ 15A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2010 pF@10 V

PH5330E,115 产品详情

PH5330E,115所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PH5330E,115 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PH5330E,115价格参考¥5.765348,你可以下载 PH5330E,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PH5330E,115规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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