PJQ4441P_R2_00001
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 44A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),59.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 强茂 (Panjit)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 5.14245 | 5.14245 |
10+ | 4.49784 | 44.97841 |
100+ | 3.44689 | 344.68960 |
500+ | 2.72477 | 1362.38950 |
1000+ | 2.17982 | 2179.82300 |
2000+ | 1.97550 | 3951.00200 |
5000+ | 1.85780 | 9289.02000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.14246
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.14
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@10A,10V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
- 制造厂商 强茂 (Panjit)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2030 pF@25 V
- 供应商设备包装 DFN3333-8
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.5A (Ta), 44A (Tc)
- 最大功耗 2W(Ta),59.5W(Tc)
- 色彩/颜色 -
PJQ4441P_R2_00001所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PJQ4441P_R2_00001 由 强茂 (Panjit) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PJQ4441P_R2_00001价格参考¥5.142459,你可以下载 PJQ4441P_R2_00001中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PJQ4441P_R2_00001规格参数、现货库存、封装信息等信息!
强茂 (Panjit)
PANJIT成立于1986年,生产齐纳二极管、表面安装整流器、玻璃钝化整流器芯片、玻璃钝化结整流器、塑料钝化结整流器、瞬态电压抑制器、半导体和相关产品。近年来,PANJIT扩大了产品范围,于2015年推...