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STH300NH02L-6

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: HPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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数量 单价 合计
1000+ 21.26240 21262.40200
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电压标 (Vdss) 24伏
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 180A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2毫欧姆@80A,10V
  • 供应商设备包装 HPAK
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 109 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7050 pF @ 15 V

STH300NH02L-6 产品详情

该器件是一种N沟道增强型功率MOSFET,使用STMicroelectronics的STripFET III技术生产,专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。

特色

  • 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
  • 传导损耗降低
  • 低剖面、极低寄生电阻、高电流封装
STH300NH02L-6所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STH300NH02L-6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STH300NH02L-6价格参考¥17.009951,你可以下载 STH300NH02L-6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STH300NH02L-6规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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