9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFSL9N60A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFSL9N60A参考价格为2.248美元。Vishay Siliconix IRFSL9N60A封装/规格：MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3。您可以下载IRFSL9N60A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFSL7762PBF带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.073511盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-262-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为49 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为85 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为57ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为85nC，正向跨导最小值为180S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IRFSL7787PBF，包括3.7V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75V，提供单位重量功能，如0.073511盎司，典型开启延迟时间设计为11纳秒，以及51纳秒典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有48 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为8.4 mOhms，Qg栅极电荷为73 nC，Pd功耗为125 W，封装为管，封装盒为TO-262-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为76 A，正向跨导最小值为154 S，下降时间为39 ns，配置为单一。
IRFSL7N60C3PBF，带有由IR制造的电路图。IRFSL7N80C3PBF采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
