9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS472BDN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS472BDN-T1-GE3参考价格为0.23100美元。Vishay Siliconix SIS472BDN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK。您可以下载SIS472BDN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS468DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，零件别名显示在SIS468DN-GE3中使用的数据表注释中，该SIS468DN/GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为780pF@40V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为30A（Tc），最大Id Vgs的Rds为19.5mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为28nC@10V，Pd功耗为52W，Vgs栅极-源极电压为3V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs第栅极-源阈值电压为3v，Rds漏极源极电阻为19.5mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为8.7nC。
SIS456DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于SISxxxDN，以及4.2 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作36nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为52 W，该器件采用SIS456DN-GE3零件别名，该器件具有一个包装卷，包装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为35A，并且正向跨导Min为75S，并且配置为单。
SIS456DN带有SI制造的电路图。SIS456DN以QFN1212-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
SIS463EDC-T1，带有KEXIN制造的EDA/CAD模型。SIS463EDC-T1采用CHIP8L封装，是IC芯片的一部分。
