9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD9113，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD9113参考价格为0.95美元。Vishay Siliconix IRFD9113封装/规格：MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP。您可以下载IRFD9113英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD9110PBF是MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP，包括管封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为700 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，Rds导通漏极-源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFD9024PBF是MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于13 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如15 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为68 ns，器件的漏极电阻为280 mOhms Rds，器件具有1.3 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.6A，下降时间为68ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD9110是由IR制造的MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP。IRFD91110可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH100V 0.7A-4-DIP，P沟道100V 700mA（Ta）1.3W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP。
