9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD210，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD210参考价格为11.286美元。Vishay Siliconix IRFD210封装/规格：MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP。您可以下载IRFD210英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFD210价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFD120PBF是MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP，包括管封装，它们设计为通孔安装型，数据表说明中显示了用于HVMDIP-4的封装盒，提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为270 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为6.8ns，沟道模式为增强。
IRFD123是HAR制造的MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP。IRFD123有4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP。
IRFD1Z0，带有由IR制造的电路图。IRFD1Z1采用DIP-4封装，是IC芯片的一部分。
