9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFU9110,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFU9110参考价格$5.22。Vishay Siliconix IRFU9110封装/规格:MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA。您可以下载IRFU9110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如IRFU9110价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IRFU9024PBF是MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK,包括IRF/SIHFx9024系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.011640盎司,具有通孔等安装方式功能,封装盒设计用于IPAK-3,以及Si技术,该设备也可以用作1通道数量的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有2.5 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为29 ns,上升时间为68 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为8.8 a,Vds漏极-源极击穿电压为-60 V,Rds导通漏极-漏极电阻为280 mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为15 ns,典型接通延迟时间为13 ns,沟道模式为增强型。
IRFU9024NPBF是MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-55V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供晶体管类型功能,如1个P沟道,晶体管极性设计为在P沟道中工作,以及Si技术,该器件也可以用作175毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为12.7 nC,该器件提供38 W Pd功耗,该器件具有一个封装管,封装盒为IPAK-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,Id连续漏电流为-11 a。
IRFU9024U,电路图由IRF制造。IRFU9024U采用TO251封装,是IC芯片的一部分。