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DMT6017LFV-7
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DMT6017LFV-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 65 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 2.12W(Ta),39.06W(Tc) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 (Type UX) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2000

数量 单价 合计
2000+ 1.70910 3418.21400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.70911
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3,418.21
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 PowerDI3333-8 (Type UX)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 36A (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 65 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15.3 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@6A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 891 pF @ 30 V
  • 最大功耗 2.12W(Ta),39.06W(Tc)

DMT6017LFV-7 产品详情

N沟道MOSFET,40V至90V,二极管公司
DMT6017LFV-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMT6017LFV-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMT6017LFV-7价格参考¥1.709107,你可以下载 DMT6017LFV-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMT6017LFV-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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