9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB14N80K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB14N80K5参考价格为2.38315美元。STMicroelectronics STB14N80K5封装/规格：MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK。您可以下载STB14N80K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB140NF75T4是MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK，包括STB140N75系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有310 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为160S，沟道模式为增强。
STB140NF55T4是MOSFET N-Ch 55伏特80安培，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为125 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为STB140N55系列，该器件的上升时间为150 ns，漏极电阻Rds为8 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为80 A，正向跨导最小值为100 S，下降时间为45 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB140NF75，带有由ST制造的电路图。STB140NF-75以TO-263封装形式提供，是FET的一部分-单个。
STB141NF55-1是由ST制造的MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK。STB141NF 55-1可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 80B I2PAK、N沟道55V 80C（Tc）300W（Tc，通孔I2PAK）。
