特色
- 650 V@TJ=150°C
- RDS（开）=250 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型Qg=39 nC）
- 低有效输出电容（典型cos（eff.）=127 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 适配器
- 服务器和电信电源
- 太阳能转化器
FCMT080N65S3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 260W（Tc） 供应商设备包装: 4-TDFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 32.43175 | 97295.25300 |
- 库存: 0
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 包装/外壳 4-PowerTSFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 38A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 71 nC @ 10 V
- 最大功耗 260W（Tc）
- 供应商设备包装 4-TDFN (8x8)
- 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 19A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 880A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2765 pF@400 V
FCMT080N65S3 产品详情
SuperFET®II MOSFET是一种全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88封装是一种超薄表面安装封装（1 mm高），外形小巧，占地面积小（8x8 mm2）。Power88封装中的SuperFET II MOSFET由于较低的寄生源电感和分离的电源和驱动源，提供了优异的开关性能。Power88提供1级湿度敏感度（MSL 1）。
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 | FCMR25-12-7-A | 儒兰德制造 (Ruland Manufacturing) | 12MMX7MM ALUMINUM BEAM CPLNG | ¥628.24915 |
 | FCMR19-6-6-A | 儒兰德制造 (Ruland Manufacturing) | 6MMX6MM ALUMINUM BEAM CPLNG | ¥532.28072 |
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 | FCMR38-19-19-A | 儒兰德制造 (Ruland Manufacturing) | 19MMX19MM ALUMINUM BEAM CPLNG | ¥1,152.34539 |
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 | FCM400PS36 | 适配器电源 (XP Power) | 种类: 围住的 输出数量: one 电压输出1: 36伏 功率（瓦特）: 400瓦 效率值: 87% 工作温度: -10摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥2,163.45423 |
FCMT080N65S3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCMT080N65S3 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCMT080N65S3价格参考￥32.431751，你可以下载 FCMT080N65S3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCMT080N65S3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
