9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD120，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD120价格参考1.892美元。Vishay Siliconix IRFD120封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP。您可以下载IRFD120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD110PBF是MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP，包括管封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为540 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.9ns，沟道模式为增强。
IRFD113是MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si、Rds等技术特性，漏极-漏极电阻设计为在800 mOhms内工作，该设备也可以用作HVMDIP-4封装盒。此外，信道数为1信道，设备采用通孔安装方式，设备具有800 mA的Id连续漏电流，配置为单信道。
IRFD113PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP。IRFD113PB可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 800MA4-DIP、N沟道60V 800MA（Tc）1W（Tc）通孔4-HVMDIP、Trans MOSFET N-CH20V 0.8A 4-引脚HVMDIP。
