9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBE30S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBE30S参考价格$3.104。Vishay Siliconix IRFBE30S封装/规格：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK。您可以下载IRFBE30S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFBE30PBF是MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为4.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
IRFBE30AL带有由IR制造的用户指南。IRFBE30AL以TO-262封装形式提供，是IC芯片的一部分。
IRFBE30L是由IR制造的MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262。IRFBE30 L可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH800V 4.1A-TO-262、N沟道800V 4.1B（Tc）125W（Tc）通孔I2PAK。
IRFBE30LPBF-M带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFBE30 LPBF-M采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
