9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT24M80B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT24M80B参考价格为10.04300美元。Microchip Technology APT24M80B封装/规格：MOSFET N-CH 800V 25A TO247。您可以下载APT24M80B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT24M120L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括卷轴封装，其设计为单位重量为0.373904盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，该通孔具有Power MOS 8等商标特征，封装盒设计为在to-264-3以及Si技术中工作，该设备也可用作1.040 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为42纳秒，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为145ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为260nC，正向跨导最小值为27S，沟道模式为增强。
APT24M120B2是MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1.2 kV，具有典型的开启延迟时间特性，如45 ns，典型的关闭延迟时间设计为145 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为630 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为260 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装为卷轴式，封装外壳为T-Max，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为24A，且正向跨导Min为27S，且下降时间为42ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT24F50S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
